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冨永 亜希; 菖蒲 敬久; 佐藤 志彦; 城 鮎美*; 桑水流 理*; 宇埜 正美*
no journal, ,
模擬デブリを作製し、破壊試験中のX線CTによる内部変形観察及びX線回折法によるひずみ計測を行った。予測困難と言われている模擬デブリの破壊強度に材料強度の観点からアプローチすることを目的とする。SPring-8にあるJAEAビームラインBL22XUにて、X線CTとX線回折法を用いた測定を行ったその結果を報告する。このCT画像の中に、ZrO
相,AlO
相,空隙それぞれを確認した。このサンプルのX線回折からのひずみ解析は、試料中央を含む厚さ0.1mm程度の平板の平均ひずみより得た。解析結果、この2相からの格子ひずみの和がマクロひずみよりも小さい結果を得、これが空隙の変形量であると予測している。
Mn(Al,Si)薄膜におけるスピン偏極ワイル分散とハーフメタル性の観測角田 一樹; 鹿子木 将明*; 桜庭 裕弥*; 河野 嵩*; 後藤 一希*; 宮本 幸治*; 宝野 和博*; 奥田 太一*; 木村 昭夫*
no journal, ,
CoMnSiに代表されるホイスラー合金は多数スピンのみが伝導に寄与するハーフメタル電子構造を有することが理論的に予測されている。一方、CoMnAlやCoMnGaはワイル磁性体であることが明らかとなり、通常の磁性体の数十倍の巨大異常ホール・ネルンスト効果が観測された。また最近、四元系ホイスラー合金CoMn(Al,Si)薄膜においても巨大異常ネルンスト効果が観測されている。CoMn(Al,Si)はCoMnSiとCoMnAlの混晶系であるため、ハーフメタル性と巨大熱電特性の同時発現の舞台としても大変興味深い。本研究では、四元系CoMn(Al,Si)薄膜に対してスピン・角度分解光電子分光を行い、スピン偏極した電子構造の実験的観測を行った。スピン分解測定を行うことで、X点周りの電子バンドが多数スピン成分によって構成されていることがわかり、CoMn(Al,Si)薄膜においてもハーフメタル電子構造を有することが明らかとなった。また、
-K方向にはスピン偏極したワイル分散も観測され、CoMn(Al,Si)薄膜がハーフメタル電子構造を有するワイル磁性体であることが明らかとなった。
藤森 伸一
no journal, ,
周期律表において最末端に位置するアクチノイドを含む物質は、他の物質系では見られない、極めて特徴的な物性を示すことが知られている。これら興味ある物性はアクチノイド5f電子によって支配されているが、5f電子は遍歴的な性質と局在的な性質を同時に示しており、その統一的な理解は容易ではない。一方、放射光を利用した光電子分光法は物質の電子状態を直接的に観測できる実験手法であり、とりわけ角度分解光電子分光法(ARPES)はバンド構造やフェルミ面を実験的に決定できるため、このような5f電子系の遍歴・局在の問題に対して直接的な情報を得ることが可能である。この講演では、SPring 8 BL23SUにおいて我々が展開しているウラン化合物に対する軟X線ARPES研究について解説する。さらに、近年開発を行った3次元ARPESの結果についても報告する。
谷田 肇; 辻 卓也; 小畠 雅明; 北垣 徹
no journal, ,
東京電力福島第一原子力発電所の廃炉措置において、燃料デブリ等の性質を知るための分析は極めて重要である。試験的に取り出される燃料デブリや分析に利用できる試料は微粒子であると予想され、貴重である。また、比較的大きな試料の場合、線量が問題となって、取扱いが難しくなる。この様な試料の分析法として、X線を用いた非破壊のX線分析方法が有効であるが、微粒子に適用するためにはX線をマイクロメートルオーダーに集光する必要がある。そのために、X線のエネルギーを変えても集光位置が変わらず、強度が得られるKirkpatrick-Baez(KB)ミラーをSPring-8において、硬X線アンジュレータを光源に持つ日本原子力研究開発機構専用ビームラインBL22XUのRI棟実験ハッチ3に導入した。
新井 陽介*; 黒田 健太*; 筒井 智嗣*; 平井 大悟郎*; 片山 和郷*; Shin, S.*; 久保田 正人; 野本 拓也*; 鈴木 博之*; 宮坂 茂樹*; et al.
no journal, ,
セリウムモノプニクタイドは、温度・磁場・圧力によって多彩な磁気構造を形成する。プニクタイドの種類により無磁場、常圧での磁気構造が異なるが統一的なメカニズムの解明を目指している。本講演では、非弾性X線散乱実験により明らかになった電子系と結晶場の関わりについて議論する。
森 道康
no journal, ,
第一段階では磁化(M)そのものが、第二段階ではスピン流(dM/dt)、第三段階では磁化の空間変化(dM/dx)が、新たな物理や機能を生み出す自由度としてスピントロニクス研究に加わってきた。このため、求められる材料として、強磁性体に加えて、反強磁性体,フェリ磁性体,スピン液体,スピン液晶など、強磁性体以外を用いる研究が進展してきている。これら多様な磁性材料をスピントロニクス材料として用いるためには、バルク物性に加え、界面における時空間変化,薄膜物性などの基礎研究が不可欠である。バルク磁性体中の磁気励起であれば、中性子散乱が強力なツールである。また、表面物性であれば、従来のX線分光,ミュオン,陽電子などがある。しかし、界面におけるスピン流、磁気構造の空間変化、更には、スピン液体のような秩序状態を持たない系の磁気励起、スピン液晶などの四重極に相当する素励起を測定する手段が求められている。講演では、最近のスピントロニクス研究の中から、いくつかトピックを挙げ、高分解能分光によるスピントロニクス研究の展望を議論する。